使用极紫外胶体Talbot光刻的三维纳米图案化。

尽管极紫外（EUV）光刻技术使得高分辨率特征的持续缩放成为可能，但现有工艺仅限于平面二维（2D）结构的图案化。本研究展示了EUV胶体Talbot光刻（CTL）用于25纳米最小特征尺寸的3D纳米结构图案化。在该方法中，利用自组装纳米球的单层作为二进制掩模，并使用台式高谐波生成（HHG）EUV光源照射，形成用于邻近场打印的体积分布强度图案。采用有限差分时域（FDTD）模拟研究了干涉图案的形成，并保持了足够的条纹对比度。实验结果证明，使用单次曝光成功fabricated 具有可调单元格几何形状的2D纳米结构和到25纳米的3D纳米结构。该经济高效的方法使单次曝光3D EUV光刻成为可能，硬件要求低，并在纳米光子学、量子器件和先进材料等领域具有广泛应用。