Key points are not available for this paper at this time.
在本文中,我们描述了360 PPI翻转芯片安装的主动矩阵(AM)可寻址发光二极管在硅基(LEDoS)微显示器的设计和制造。LEDoS微显示器是自发光设备,具有比液晶显示器(LCD)更高的光效率和比有机发光二极管(OLED)显示器更长的使用寿命。LEDoS微显示器通过将单片LED微阵列和基于硅的集成电路结合,采用翻转芯片键合技术实现。主动矩阵驱动方案在硅基上设计,以提供足够的驱动电流和每个LED像素的单独可控性。展示了像素尺寸为50 μm,像素间距为70 μm的红、绿、蓝和紫外(UV)LEDoS微显示器。借助外围驱动板,LEDoS微显示面板被编程以显示代表性的图像和动画。
Liu等(Mon,)研究了这个问题。