GaN-on-Si 电力电子器件综述

在过去的几十年中，生长在 Si 衬底上的 GaN 基电力电子器件取得了巨大的发展。本文简要介绍、回顾并展望了 GaN-on-Si 电力器件技术的研究进展。该全面综述从 GaN 材料外延（包括应力控制和点缺陷研究）以及器件制备（包括 Cascode、沟槽 MIS 栅和 p-GaN 栅等常关型解决方案）两个方面探讨了最先进器件技术中的关键问题。此外，还讨论了 GaN 高电子迁移率晶体管（HEMTs）中的器件可靠性及其他常见制备问题。最后，我们从高频和高功率 GaN IC 以及 GaN 垂直功率器件两个方面对 GaN-on-Si 电力器件进行了展望。