掺硼的同质外延金刚石层：制备、表征及其电子应用

为了电子应用，利用微波等离子体化学气相沉积（CVD）方法，在（100）切割的金刚石衬底上生长了一系列高晶体质量的掺硼同质外延金刚石层。硼浓度从3 × 10^17 到 3 × 10^20 原子/cm³不等。使用溅射的SiO2掩膜选择性地将这些层生长成霍尔条的形状。金刚石衬底的尺寸为3×3×1 mm³。金线与通过950 °C，30分钟退火的电子束蒸发的Mo/Pt/Au层形成的霍尔条上的欧姆接触进行焊接。电气特性在8个样品上在100到1300 K的温度范围内进行测试。结果进行了详细讨论。对于在合成氮掺杂（Ib型）衬底上生长的金刚石层，在360到900°C的温度范围内可以观察到二极管型的电流-电压特性。在p-n结区域发出绿色电致发光。还制造了高电流肖特基二极管，其由与合成重掺硼（IIb型）衬底上生长的适度掺硼同质外延层的金接触组成。