用于类神经系统的基于Al2O3的RRAM设备的多级单元和量化导电特性

摘要最近，各种基于电阻的存储设备正在研究中，以替代基于电荷的存储设备，以满足高性能存储要求。电阻随机存取存储器（RRAM）显示出快速切换速度、结构可扩展性和长时间保持等优越性能。本研究通过直流电压控制不同的电流通道，并通过脉冲测量验证其作为突触设备的特性。首先，通过控制范围不同的直流电压，表征了两个电流-电压（I-V）曲线。测量每个不同I-V曲线的保持性和耐久性，以证明RRAM设备的可靠性。详细的电压调节确认了多级单元（MLC）和导电量化的特性。最后，验证了突触功能，如增强和抑制、配对脉冲抑制、兴奋性突触后电流和尖峰时序依赖性可塑性。总体而言，我们总结Pt/Al2O3/TaN适用于类神经设备。