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摘要：提出了一种有效的堆叠存储概念，利用全氧化物基元件组件用于未来高密度非易失性堆叠结构数据存储。室温生长的GaInZnO (GIZO)薄膜晶体管与室温制造的一二极管（CuO/InZnO）–一电阻（NiO）(1D–1R)结构的氧化物存储节点元素集成在一起。本文引入的低生长温度和制造方法允许展示可堆叠的存储阵列以及集成元件特性。通过在玻璃基板上制造工作器件，展示了低温工艺带来的好处。这里报告了每个单独组件的器件特性以及与1D–1R单元相结合的选择性晶体管的特性。通过溅射和原子层沉积法沉积的NiO电阻层的X射线光电子能谱分析确认了NiO中金属Ni含量在双稳态电阻切换中的重要性。GIZO晶体管显示出30 cm² V⁻¹ s⁻¹的场效应迁移率，+1.2 V的阈值电压以及高达10⁸的漏电流开关比，而CuO/InZnO异质结氧化物二极管的正向电流密度为2 × 10⁴ A cm⁻²。这两种材料都展示了最先进的氧化物器件的性能.
Lee等（周四）研究了这个问题。