ZrOx/HfOx 双层结构对非易失性存储器应用中的切换均匀性和可靠性的影响

我们研究了 HfOx 和 ZrOx 等二元氧化物的双层结构在电阻式存储器中的应用。ZrOx/HfOx 双层结构在直流扫频电压下显示出比 HfOx 单层更低的复位电流和工作电压。此外，双层结构表现出切换参数的紧密分布、良好的切换耐久性（可达 105 次循环）以及在 85 °C 下良好的数据保持能力。结合 ZrOx/HfOx 双层结构的存储器设备的电阻切换机制可以归因于通过局部导电丝尖端的氧化还原反应控制多个导电丝的发生。