在六方氮化硼中引入缺陷以实现基于缺陷的二维忆阻器

在120°C时，SET和RESET过程的响应时间分别小于80纳秒和240纳秒。通过导电原子力显微镜进行的电流映射显示，电场诱导的电流穿透来自C-h-BN薄片的缺陷位点，揭示了C-h-BN忆阻器中的缺陷基RS。此外，C-h-BN具有出色的柔韧性，可应用于可穿戴设备，在各种弯曲环境中保持稳定的RS性能，并在经历多次弯曲循环后仍然稳定。基于缺陷的二维忆阻器为开发具有高可控性的超小型存储单元提供了一种新策略。