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我们提出了一种透明且柔性的光电材料，由生长在还原石墨烯/PDMS基底上的垂直对齐的ZnO纳米线组成。通过从天然石墨中化学剥离、氧化水相分散和随后的热还原，在PDMS基底上制备了大面积的还原石墨烯薄膜。ZnO纳米线在还原石墨烯薄膜基底上通过水热法生长，并在高度变形状态下保持其结构均匀性。半导体ZnO纳米线与金属石墨烯薄膜之间的电接触通过电力显微镜（EFM）进行直接测量。结果显示出典型的金属-半导体欧姆接触，无接触障碍。由于机械柔性、透明性和低接触障碍，ZnO纳米线/石墨烯混合物展现出优异的场发射特性。在凸、平和凹变形情况下测得的低开启场值分别为2.0 V μm−1、2.4 V μm−1和2.8 V μm−1。这种场发射特性的变化归因于机械变形下ZnO纳米线发射器密度的改变.
Hwang等人（Mon，）研究了这个问题.
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