十四种金刚石和闪锌矿结构半导体的能带结构和伪势形因子

为14种金刚石和闪锌矿结构的半导体（AlSb、CdTe、GaAs、GaP、GaSb、Ge、InAs、InP、InSb、Si、Sn、ZnS、ZnSe和ZnTe）确定了伪势形因子和能带结构。使用了晶体中能级分裂的实验值。这些形因子似乎准确到0.01 Ry，并生成与实验一致的能带，带隙附近相差0.01 Ry，在1 Ry范围内相差0.04 Ry。对于某些材料来说，这是首次计算的能带结构。