CrSCl单层中斯科尔缪斯的应变与磁场工程

二维贾努斯磁体由于其固有的破缺反演对称性，为稳定手性自旋结构提供了自然平台。然而，实现不同拓扑自旋态之间的可控切换对于未来基于多级位的信息存储和自旋电子计算架构至关重要。此外，理解外部扰动下其稳定性背后的机制仍然具有挑战性。在此，我们结合第一性原理计算与蒙特卡洛和原子自旋模拟，证明了CrSCl单层具有稳健且可调的拓扑自旋结构。我们揭示了施加磁场的方向使得在斯科尔缪斯和双斯科尔缪斯态之间实现可逆切换，提供了一个简单高效的控制机制。此外，拉伸应变显著增强了斯科尔缪斯的稳定窗口。我们的结果揭示了磁场方向和应变工程对拓扑自旋结构的协同影响，为可控的基于斯科尔缪斯的自旋电子设备提供了一条可行的途径。