在GaAs中垂直排列和电子耦合的生长诱导InAs岛

使用分子束外延法在Stranski-Krastanov生长模式下生长的InAs岛构成的层，研究多层、垂直耦合的量子点结构。研究了单层、2层、5层和10层InAs岛，其中40个高的InAs岛被56个GaAs间隔层分隔。InAs岛在柱上垂直排列，并且是伪形态的。在1到10层岛中，8K下的光致发光显示出PL线宽减少了25%，并且峰值向低能量偏移了92 meV，而透射电子显微镜和原子力显微镜显示不同层中的岛的大小保持不变。这些效应归因于柱中岛之间的电子耦合，采用简单的耦合模型同时拟合光谱峰位移和线宽变化。