Zr+离子植入的ZrO2薄膜的电阻切换记忆效应

Au∕Cr∕Zr+离子植入的ZrO2∕n+-Si夹层结构在直流扫描电压下表现出可逆的双极电阻切换行为。高电阻态和低电阻态的电阻比（Rratio）在0.5V读取偏压下大达五个数量级。Zr+离子植入的ZrO2薄膜展现出良好的保持特性和高设备良率。研究了植入的Zr+离子对电阻切换性能的影响。所制备结构的电阻切换通过捕获控制的空间电荷限制电流导电现象加以解释。