有机半导体薄膜中晶粒大小和晶格缺陷的定量分析

使用基于Warren和Averbach（WA）方法的傅里叶变换峰形分析程序，研究了三种典型的高性能有机半导体材料的晶粒大小和累积晶格缺陷。通过在多步骤分析中彻底引入误差传播，并对傅里叶变换数据进行加权拟合到WA模型，使得结果比通常获得的结果更为准确，并能够确定置信区间。我们比较了在假设两种类型的列长分布时获得的结果，并讨论了每种模型在简单性和准确性方面的优缺点。对于强无序材料，晶粒大小的确定受到极大阻碍，因为无序主导了相干长，而非有限尺寸。还讨论了一种简单的分析方法，基于峰宽和伪-沃伊特线形的洛伦兹成分随衍射级数的变化趋势，以更轻松和定性地评估样品中存在的无序的数量和类型。尽管直接应用于有机系统，但该方法对于用衍射技术研究的任何材料的晶粒大小和晶格缺陷的准确解卷积都是通用的。