我们报道了一种基于液态金属辅助的铂(Pt)和共晶镓铟(EGaIn)动态金属合金化过程的功函数调制策略，用于二硫化钼(MoS2)金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFETs)。功函数调制精确调节从5.6 eV (ΦM,Pt)到4.23 eV (ΦM,Pt-EGaIn)，实现对单一MoS2通道的直接阈值电压(Vth)调制。Pt栅MISFET表现出相对增强模式操作，而Pt-EGaIn液态金属合金栅MISFET则呈现耗尽模式操作，Vth偏移为-1.98 V。通过在单个MoS2活跃通道上整合Pt和Pt-EGaIn栅，我们成功演示了一个耗尽负载反相器逻辑电路，展现出明显的数字信号反转，最大增益达到16.7。这些结果突出显示了Pt-EGaIn动态金属合金化过程作为一种简单且低温的策略，用于二维电子器件中的栅功函数工程。
Kim等人（Mon，）研究了这个问题。