探讨在摩擦聚酰亚胺基底上半导体氟烯−噻吩共聚物表面的序列化，采用近边X射线吸收精细结构

利用近边X射线吸收精细结构（NEXAFS）技术研究了半导体液晶氟烯−噻吩共聚物（F8T2）薄膜表面的温度依赖性取向。记录了在不同温度范围内的部分电子产额光谱，以直接观察聚合物在经过玻璃、晶体和液晶相时的表面取向。此外，还分析了在不同处理条件下退火并迅速冷却至室温的样品。NEXAFS数据表明：（a）在各种温度下的薄F8T2膜中，聚合物主链位于基底平面；（b）氟烯和噻吩环围绕分子轴随机旋转；（c）可以使用摩擦聚酰亚胺对准层作为液晶取向的模板来控制聚合物主链的取向；（d）在适当的退火条件下，共聚物主链轴与摩擦方向之间存在强烈的温度依赖性取向，这种取向从聚酰亚胺/F8T2界面延伸至F8T2表面。在约30 K高于块体向列相与各向同性转变的温度下，表面取向在退火后仍然存在。