n型绝缘栅场效应晶体管的设计与特性

IBM研究所建立的n型绝缘栅场效应晶体管技术为进一步发展FET存储器奠定了基础。本文展示了500和1000 Å栅极绝缘层厚度的实验设备的设计和特性，特别关注源极与漏极间距的影响。