晶体锗和硅的电子光谱

通过伪势法对锗和硅的能带进行了详细计算。前三个势能系数是通过经验确定的，其余的都设为零。该势能用于计算布里渊区内50,000个点的能量本征值。利用这个样本，我们计算了光学和近紫外线区域的介电常数的虚部，其中价带和低能导电带之间的直接跃迁主导了响应。获得了光电效应产额曲线，以便与最近的实验进行比较。在所有情况下，理论与实验的符合程度是合理的。在几个主要对称平面中构建了能量轮廓。这些轮廓用于通过在某些重要临界点附近的跃迁来解释锗和硅的光学性质中的结构。有效质量和静态介电常数也被计算出来了。