AlGaN/GaN异质结构FET的温度稳定性评估

对在蓝宝石上通过MOVPE生长的AlGaN/GaN FET及其各个技术构件进行了高达800摄氏度的温度应力实验。发现温度限制是由于在600摄氏度以上运行时内在活性异质结构材料本身的不可逆降解所致。无论是未连接还是电气操作的设备均在温度应力下观察到了不可逆降解。