我们研究了通过真空沉积法制造的p型TeOx薄膜，使用TeO2粉末和W粉末的混合物在Al2O3坩埚中制备，并评估其薄膜晶体管（TFT）特性。当W的加入量相对于TeO2的重量比达到15%或以上时，获得了p型TeOx薄膜。然而，当比率低于10%时，薄膜变为绝缘体且不显示电导率。X射线光电子能谱分析表明，TeOx薄膜中含有约5%或更多的Te–Te键。由于W–O键的解离能高于Te–O键，因此可以认为TeO2是由W还原的。此外，W并未出现在薄膜中，仅用于TeO2的还原。结果表明，当通过真空沉积法制造TeOx TFT时，向原材料中添加适量的还原剂以形成足够的Te–Te键是至关重要的。
Kato等（Mon，）研究了这个问题。