DRAM电荷存储中的亚稳态漏电现象 #8212;可变保持时间

本文报道了一种名为可变保持时间（VHT）的新型漏电现象，该现象可能会损害现代 DRAM 的数据保持性能。对许多具有平面单元和接地场板器件的保持时间进行仔细观察后发现，极少部分位单元在室温下表现出多值且亚稳态的漏电流。稳定期持续数秒至数小时不等，其间伴有近乎瞬时的跃迁。VHT 位的电学表征显示，跃迁速率随温度和衬底偏压的增加而升高。物理检查通常会发现问题单元中存在硅材料缺陷。提出了一种机制，其中 VHT 是在较大结中常见突发噪声的空间分辨表现形式。