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描述了一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件。该器件基于n-(In-Ga-Zn-O)和p型（SnOx）活性氧化物半导体，并使用透明导电氧化物（In-Zn-O）作为栅极电极，栅极电极位于一个灵活的、可回收的纸基底上，该基底同时作为基底和介质。
Martins等（Mon,）研究了这个问题。
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