为什么非易失性铁电记忆场效应晶体管依然难以实现？

原则上，基于金属-铁电-半导体栅极堆栈的记忆场效应晶体管（FET）可能是理想记忆技术的构建块，该技术提供随机访问、高速、低功耗、高密度和非易失性。然而，实际上，到目前为止，报道的铁电记忆晶体管没有一个达到超过几天的记忆保留时间，这与非易失性存储设备的十年保留要求相去甚远。本研究将考察短保留时间的两个主要原因（假设铁电薄膜中没有显著的移动离子电荷运动）：1）去极化场和2）有限的栅极漏电流。将提出解决记忆保留问题的可能方案，即在硅上生长单晶、单域铁电材料。还将提出将铁电记忆晶体管用作无电容DRAM单元的建议。