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在Fe(110)表面研究了H2(D2)的解离化学吸附，作为平移动能ET、内能Ei、入射角θi和表面温度Ts的函数。吸附是活化的，粘附概率随着平移动能的增加而稳步增加，没有解离阈值的证据。在实验误差范围内，没有同位素效应或表面温度依赖性（180 K<Ts<400 K）。使用在恒定平移动能下的种子束，干净表面的粘附对入射分子的内态分布没有影响，这与入口通道的解离化学吸附存在能垒一致。对于低于0.2 eV的平移动能，粘附偏离正常的能量标度，平行于表面的动量强烈抑制解离化学吸附。解离被解释为在低能量下解离化学吸附的局部表面位置。
Wight等人（周四）研究了这个问题。