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本文介绍了均匀尺寸二硫化钼(MoS2)纳米片的大规模胶体合成与集成,用于柔性电阻式随机存取存储器(RRAM)阵列。使用MoS2纳米片的RRAM显示出约10,000倍高的开关比,相较于基于剥离的MoS2。MoS2纳米片的良好均匀性允许将RRAM阵列与压力传感器和量子点发光二极管进行晶圆级系统集成。作为对我们的作者和读者的服务,本期刊提供由作者提供的支持信息。这些材料经过同行评审,并可能重新组织以供在线传递,但不经过编辑或排版。与支持信息有关的技术支持问题(除了缺失文件)应由作者解决。请注意:出版商对任何由作者提供的支持信息的内容或功能不承担责任。任何查询(除了缺失内容)应直接指向文章的通讯作者。
Son等人(Mon,)研究了这个问题。