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金属氧化物可以通过施加适当的电脉冲显示出电阻转变，这一特性被用于开发阻变存储器件。在此，我们报告了时间分辨电测量，表明NiO中从绝缘状态到金属导电状态的转变首先是由阈值开关触发的，即转变为在无序半导体中通常观察到的高导电状态。展示了低电阻的亚纳秒转变的可能性证据。最后，呈现了阈值开关和焦耳加热的数值模拟，强调了寄生电容在设定转变中的作用.
Ielmini 等人（Mon,）研究了这个问题.
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