应变诱导自旋-轨道相互作用驱动的孔自旋

半导体量子点中的孔自旋可以通过射频电场有效操控，这得益于价带中的强自旋-轨道相互作用。我们在此展示，点在非均匀应变场中的运动导致线性Rashba自旋-轨道相互作用（具有空间依赖的自旋-轨道长度）和g因子调制，从而允许快速拉比振荡。这种非均匀应变因工艺和冷却应力在设备中自发积累。我们以Ge/GeSi异质结构中的自旋量子比特为例进行讨论。我们强调，拉比频率可以通过点内小至3×10^-6 nm^-1的剪切应变梯度提高一个数量级。这强调了固体中的自旋对应变非常敏感，并为量子信息和自旋电子学中的孔自旋设备的应变工程打开了道路。