用于多用途有机电子应用的物理化学稳定聚合物耦合氧化物电介质

摘要 一种化学耦合聚合物层被引入稀氯硅烷终止的聚苯乙烯（PS）溶液中的无机氧化物电介质上。由于这种表面改性，亲水性氧化物电介质获得了疏水性、物理化学稳定性。基于此类PS耦合的SiO2或AlOx电介质，可以开发出各类真空和溶液可加工的有机半导体，形成高度有序的晶体结构，提供比其他表面改性系统更高的场效应迁移率（μFETs），在有机场效应晶体管（OFETs）中仅具有微小的滞后现象。特别是，使用PS耦合的AlOx纳米电介质使得一种溶液可加工的三乙基硅乙炔基蒽二硫氟烯OFET能够在低于-1 V的栅压下以μFET约为1.26 cm2 V−1 s−1进行操作。此外，一种类似互补金属氧化物半导体的有机逆变器成功构建在PS耦合的SiO2电介质上，具有约32的高电压增益。