层状半导体的价带偏移和肖特基势垒高度由界面诱导的能隙态解释

许多金属硫族化物是层状半导体。它们由硫族元素–金属–硫族元素层组成，这些层本身是通过范德瓦尔斯力结合在一起。因此，涉及层状化合物的异质结构是突变且无应变的。分析了GaSe、InSe、SnS2、SnSe2、MoS2、MoTe2、WSe2和CuInSe2之间的异质结构，以及这些化合物与ZnSe、CdS和CdTe之间的异质结构的实验价值带偏移，以及GaSe、InSe、MoS2、MoTe2、WSe2、ZnSe、CdS和CdTe上的Au接触的势垒高度。异质结构的价带不连续性和肖特基接触化合物的势垒高度一致地由界面诱导的能隙态的连续谱描述，这是主导半导体界面带排列的主要机制。