铯碲的光发射研究

在压力低于 5 × 10^-10 Torr 的条件下，对 Cs₂Te 薄膜进行了 3 到 12 eV 的光子能量光发射测量。非弹性电子-电子散射和电子-声子散射对光发射数据产生了显著影响。通过使用光激发、热电子输运和逃逸的三步模型来描述 Cs₂Te 中的光发射，可以定性理解主阈值以上的量子产率以及光发射电子的能量分布（EDC）。从 EDC 中的结构行为也推导出了 Cs₂Te 中能带结构的重要特征。在价带顶部 4.05 ± 0.1、4.9 ± 0.1 和 5.4 ± 0.1 eV 处，导带状态密度中有三个最大值。观测到的价带状态密度中，在价带顶部下方 0.7 ± 0.1 和 1.4 ± 0.1 eV 的两个峰被归因于 Te 的自旋-轨道分裂的 5p 轨道。自旋-轨道裂分值（0.65 ± 0.1 eV）与理论自由原子值非常一致。此外，为 Cs₂Te 中的价带整体宽度设定了 2 eV 的上限。还研究了覆盖有 5% 额外 Te 的 Cs₂Te 薄膜。这两种薄膜以及未添加额外 Te 的 Cs₂Te 薄膜在量子产率的主阈值以下均显示出低产率（10^-5 电子/入射光子）。发现这种低产率无法用其他化学计量单相化合物中的 Cs 或 Te 来解释。