H2在Cu(100)上的解离：新二维势能表面的动态

计算了H2与铜(100)面相互作用的二维（2-D）势能表面（PES）。该PES描述了H2以其原子核间轴与表面平行的方式接近并在桥位解离到相邻的空心位点。密度泛函计算在局部密度近似（LDA）和广义梯度近似（GGA）下进行了。LDA表面没有化学吸附的势垒，但GGA表面具有0.4 eV的势垒高度。GGA表面的适配被用于计算处于v=0和v=1振动态的H2的反应概率，采用了波包方法。v=0和v=1阈值的二维波包结果与实验一致，表明所用GGA计算的势垒高度是准确的。GGA结果对于势垒高度的值也与Hammer等近期为H2+Cu(111)得到的GGA值（0.5 eV）一致，但White等近期计算的H2+Cu(100)的GGA值（0.9 eV）则过高。