低电阻欧姆接触到p型GaN

通过氧化Ni/Au薄膜开发了具有高透明度的低电阻欧姆接触到p型GaN。与金属Ni/Au接触相比，氧化的Ni/Au接触表现出更低的特定接触电阻和显著提高的透明度。在450–550 nm波长范围内，透明度从65%提高到80%。通过在p型GaN上氧化Ni(10 nm)/Au(5 nm)，获得了特定接触电阻低于1.0×10−4 Ω cm²。低电阻欧姆接触的机制可能与NiO的形成有关。