通过扫描隧道显微镜和光谱研究MoS2/WS2过渡金属二硫化物异质结构中的能带对齐

利用扫描隧道显微镜（STM）和扫描隧道光谱（STS），我们研究由MoS2和WS2单层构成的过渡金属二硫化物异质结构（TMDCHs）的电子结构。针对不同堆叠配置的异质结构以及单层材料获得STS数据。对隧道光谱的分析包括有限样品温度的影响，提供关于准粒子能带隙的信息，以及MoS2和WS2的能带对齐。我们报告了测量在异质结构区域的MoS2（2.16 ± 0.04 eV）和WS2（2.38 ± 0.06 eV）的能带隙，以及该异质结构的一般类型II能带对齐，显示出1.45 ± 0.06 eV的界面能带隙。