使用助熔硼化硫化物混合物（BCM）法的四元RE 2 EuSi 2 S 8（RE = Ce–Nd, Sm, Gd, Tb）的晶体生长：磁性和荧光特性的研究

通过助熔硼化硫化物混合物（BCM）晶体生长法合成了一系列具有一般公式RE 2 EuSi 2 S 8（RE = Ce–Nd, Sm, Gd, Tb）的四元稀土含硫酸盐。获得了高质量的单晶，其晶体结构通过单晶X射线衍射确定。RE 2 EuSi 2 S 8系列在三角晶系中结晶，采用空间群R -3 c。多晶样品用于物理性质测量，包括磁化率测量、紫外-可见漫反射和光致发光响应。RE 2 EuSi 2 S 8（RE = Ce, Nd和Gd）的磁性数据在2–300 K温度范围内收集。这些样品表现出带有负魏斯常数的常磁性行为（θ W = −11.05, −10.55和−1.35 K）。通过热重分析（TGA）研究了它们的热稳定性。通过漫反射光谱估算的光学带隙分别为Ce 2 EuSi 2 S 8为2.2(1) eV，Nd 2 EuSi 2 S 8为1.8(1) eV，和Gd 2 EuSi 2 S 8为1.7(1) eV。对Ce 2 EuSi 2 S 8和Tb 2 EuSi 2 S 8单晶进行了光致发光测量.