室温下超过 1 THz 的共振隧道二极管的基本振荡

在室温下，共振隧道二极管实现了高达 1.04 THz 的基本振荡。对 GaInAs/AlAs 双障碍共振隧道二极管引入了分级发射极和薄障碍，以分别减少集电区缺陷的迁移时间和共振隧道时间。输出功率在 1.04 THz 时为 7 μW，在 0.9–1 THz 区域约为 10 μW。还获得了 bias 电压下约 4% 的振荡频率变化。