用于光电探测的 MoSe 2 /P3HT 杂化异质结构场效应晶体管

摘要 近年来，由于有机-无机杂化异质结构相较于全有机或全无机异质结构具有无可比拟的优势，其在光电子器件领域的应用引起了广泛关注。尽管已有大量研究，但此类杂化异质结构在光电晶体管构型中的潜力尚未得到充分探索。在此，报道了一种基于二硒化钼 (MoSe 2 ) 和聚(3-己基噻吩-2,5-二基) (P3HT) 异质结的杂化光电晶体管，其具有 5.6 cm 2 V −1 s −1 的高 n 沟道场效应迁移率和优异的光电探测器性能。P3HT 层对 MoSe 2 的钝化有助于显著减小迟滞回线，否则迟滞会导致运行不稳定和测量不确定性。该杂化光电晶体管在 660 nm 波长照射下表现出 40.4 AW −1 的大光响应度和 2.03 × 10 10 Jones 的高探测率。更重要的是，该器件具有快速的光响应速度，上升/下降时间为 363/370 µs，优于其他基于过渡金属二硫属化物 (TMD)-有机异质结构的杂化光电晶体管。这些结果突显了有机-无机体系作为开发下一代杂化光电晶体管潜在途径的广阔前景。