铝中特征电子能量损失的来源

铝的特征电子能量损失谱是通过分析760、1000、1520和2020 eV电子在蒸发样本中散射后的能量分布来测量的。观察到十二个损失峰，由10.3 eV和15.3 eV损失的组合形成。前者是低位能量损失，与Ritchie提出的降低的等离子体损失相同，后者与Bohm和Pines提出的等离子体损失相同，并且之前已被许多其他研究者观察到。在用非常薄的蒸发靶材进行的测量中，发现低位能量损失的位置和相对于15.3 eV损失的强度都有显著变化。这些变化根据Ritchie的理论进行解释，确实表明低位能量损失受样本表层的影响。由于可以制备出高表面和体积纯度的靶材，因此可以得出结论，当前反射技术在检查受表面现象影响的损失行为时获得的结果优于通过薄膜传输的电子特征损失谱的测量。