硅芯片上的超快速全光调制

我们通过一个微米级的硅光子集成器件实验性地展示了超快速全光调制。该器件的传输受低能泵脉冲产生的光激发载流子强烈调制。在结构上集成了p-i-n结，以便控制生成的载流子寿命。当结反向偏置时，载流子可以在短至50纳秒的时间内从器件中提取，从而实现超过5 Gbit/s的光信号调制。