使用Nb-Sn“断裂”接头的电子隧道实验

一个安装在柔性玻璃梁上的Nb-Sn丝可以被断裂，从而在断裂元件之间形成电子隧道接头。在液氦中断裂丝可以防止新暴露的断裂表面的氧化。在4K下测量的I-V特性中，急剧的超导能隙表明断裂元件之间形成了高质量的隧道屏障。通过改变梁的表面弯曲应变，可以连续调整接头的电阻。预测的屏障厚度变化为0.1纳米，在105到108Ω的范围内产生约一个数量级的电阻变化。这种依赖关系的指数特性表明，隧道接头可以在不与接头元件紧密接触的情况下自由调节。这种方式制造的“断裂”接头为新材料的隧道实验提供了一种新方法，避免了先前所需的氧化屏障，从而保证了接头的稳定性。这些实验提供了一种简单的隧道技术，可能消除在使用氧化屏障获取数据时可能遇到的复杂问题。