硅中位错运动的原子模式

通过应用新的有效松弛和采样算法，并结合Stillinger-Weber经验原子间势及最多90000个原子的模拟模型，已对硅111滑移系统中部分位错运动的机制进行了全面的原子细节研究。确定了30°部分位错核心缺陷的生成、消灭和运动的低能量路径，特别是双弯曲的左右组件、抗相位缺陷（APD）以及各种弯曲-APD复合物的个体行为。结果表明，这些缺陷反应中的基本机制可分为三类，分别以断键、换键和交换键的过程为特征。定量结果显示，弯曲传播的动力学存在强烈的左右不对称性，同时APD和弯曲之间的结合力也很强；这些现象此前并未被认识，因此对后续实验具有重要影响。目前的工作还展示了原子方法在高Peierls势垒晶体中建模位错运动动力学过程的可行性。