半导体中的位错和可塑性。I — 位错结构和动力学

讨论了元素半导体（ESC）和具有锌闪石结构的III-V化合物半导体（CSC）中的位错核心结构，并将其与面心立方金属类比。还强调了在低于0.6 Tm温度下，位错滑移由Peierls机制控制，反映了原子之间强共价键合的位错在半导体中的特定特征。回顾了与经典冶金效应相关的位错动力学或与位错在带隙中引入的电子能级相关的特定效应。还讨论了ESC和CSC中位错结构和性能之间的类比与差异。