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我们在之前的文献中报道了半导体-绝缘体-半导体（SIS）太阳能电池的理论。本文将描述铟锡氧化物/p-Si单晶太阳能电池的制造和性能。ITO采用离子束溅射法沉积。当铟锡氧化物（ITO）的组成为91摩尔%和9摩尔% SnO2时，可获得最佳光伏器件。将描述器件性能与ITO组成的关系。氧化物-硅界面的厚度和组成对器件性能至关重要。通过奥杰光谱学证实了薄界面层的存在。将温度对器件性能和光谱响应的影响与理论进行了比较。SIS模型准确匹配在实验nITO/p-Si太阳能电池中观察到的主要趋势.
Shewchun等（Sun，）研究了这个问题.
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