氩气和氢气等离子体对同质结无定形铟镓锌氧化物薄膜晶体管性能影响的比较

我们提出了一种同质结无定形InGaZnO (a-IGZO) 薄膜晶体管 (TFT)，并将其性能与传统结构TFT进行比较。源/漏区分别在a-IGZO通道层中使用氩气和氢气等离子体处理形成。研究发现，氢本身在氢气等离子体处理下充当了供体的载体，其影响深达50 nm。我们的TFT具有7.27 cm²/V s的场效应迁移率，1.2×10⁷的开关比，0.96 V的阈值电压，以及0.49 V/十倍的亚阈值摆幅。