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Indirekte Beweise zeigen, dass freistehende Si-Quantum-Drahtstrukturen ohne epitaxiale Abscheidung oder Lithographie hergestellt werden können. Der neuartige Ansatz nutzt elektrochemische und chemische Auflösungsprozesse, um Netzwerke isolierter Drähte aus Massenwafern zu definieren. Mesoporöse Si-Schichten mit hoher Porosität zeigen bei Raumtemperatur sichtbare (rote) Photolumineszenz, die mit bloßem Auge unter 1 mW ungefilterter (0,1 W cm−2) grüner oder blauer Laserlinienanregung beobachtet werden kann. Dies wird auf dramatische zweidimensionale Quantengröße-Effekte zurückgeführt, die eine Emission weit über der Bandlücke von kristallinem Si in Bulkform erzeugen können.
Leigh Canham (Mon,) untersuchte diese Frage.