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Eine Reihe von AlxGa(1−x)As ternären Legierungen wurde durch Molekularstrahlemulation (MBE) im technisch relevanten Kompositionsbereich, x 0.45, gezüchtet und mittels spektroskopischer Ellipsometrie charakterisiert, um genaue Werte des Brechungsindexes im Wellenlängenbereich unterhalb der Bandlücke bereitzustellen. Besonderes Augenmerk wird auf O-Band- und C-Band-Telekommunikationswellenlängen um 1,3 µm und 1,55 µm sowie bei 825 nm gelegt. MBE ermöglichte eine sehr hohe Genauigkeit bei den gezüchteten Schichtdicken, und die genauen Zusammensetzungen und Bandlückenwerte der Legierungen wurden mittels hochauflösender Röntgenbeugung und Photolumineszenz bestätigt, um die Genauigkeit des Brechungsindex-Modell-Fittings zu verbessern. Diese Arbeit ist die erste systematische Studie für im MBE-Verfahren gezüchtete AlxGa(1−x)As über einen breiten Spektralbereich. Darüber hinaus verwendeten wir ein sehr strenges Mess-Fitting-Verfahren, das wir im Detail vorstellen.
Papatryfonos et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.