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Wir untersuchen extrem niedrige Programmierströme und schnelle Schaltzeiten einer senkrechten Tunnelmagnetoresistenz (P-TMR) für Spin-Transfer-Drehmoment unter Verwendung einer P-TMR-Zelle mit einem Durchmesser von 50 nm. Eine L1 0 -kristalline geordnete Legierung wird als Freischicht verwendet, die eine ausgezeichnete thermische Stabilität und eine Dämpfungskonstante von etwa 0,03 aufweist. Der Programmierstrom von 49 µA und die Schaltzeit von 4 ns werden ebenfalls demonstriert.
Kishi et al. (Mon,) haben diese Frage untersucht.
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