Ladungsübergang von Sauerstoffdefekten während des resistiven Schaltens in oxidebasierten RRAM

-basiertes RRAM. Wir schlagen ein Modell vor, das auf einer Reihe von Ladungsübergangsprozessen basiert und das Driften und die Aggregation von Defekten während RS erklärt. Das Modell wurde durch experimentelle Messungen validiert, bei denen beleuchtete Geräte beschleunigte RS-Verhaltensweisen während SET und RESET zeigen. Die Aktivierungsenergien der Ionenmigration und des Ladungsübergangs wurden ferner experimentell durch eine transiente Strommessung bestimmt, was mit den Modellergebnissen übereinstimmt. Unsere Ergebnisse tragen zu einem umfassenden Verständnis der inneren Dynamik von RS bei und werden die Geräteoptimierung und -anwendung unterstützen.