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InGaAlP epitaxiale Schichten, die an (100) GaAs-Substrate angepasst sind, wurden erfolgreich erstmals durch Molekularstrahlexpansion hergestellt. Die Oberfläche des gewachsenen Kristalls ist spiegelglatt, und die volle Breite bei halbem Maximum des doppelten Kristall-Röntgendiffraktionsmusters beträgt weniger als 100 Sek. Die Bandlücke am Γ-Punkt steigt von 1,9 eV (InGaP) auf 2,5 eV (InAlP) mit zunehmendem AlP-Molenanteil. Der optische Wellenleitereffekt wurde auch in InGaP/InGaAlP-Doppelheterostruktur-Wafern beobachtet.
Asahi et al. (Thu,) haben diese Frage untersucht.
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