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3μm GaInAsP/InP begrabene Heterostruktur-Laser wurden erfolgreich durch eine hybride Kombination aus Flüssigphasenepitaxie (LPE) und metallorganischer chemischer Dampfabscheidung (MO-CVD) hergestellt. Deutliche Vorteile wurden bei der Verwendung von MO-CVD für das Überwachsen der optischen und stromführenden Schichten festgestellt. Exzellente optische Linearität bis zum zweimaligen Schwellenstrom sowie ein niedriger Schwellenstrom (57 mA) wurden während des cw-Betriebs bei Zimmertemperatur erreicht. Ein einzelner longitudinaler Modus wurde bei ∼1,11-mal dem Schwellenstrom beobachtet.
Ng et al. (1981) untersuchten diese Frage.
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