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Resumen El efecto perjudicial de la impresión, que puede causar problemas de lectura errónea, ha obstaculizado la aplicación de HfO 2 ferroeléctrico. En este trabajo, presentamos los resultados de una evaluación integral de fiabilidad de la memoria de acceso aleatorio ferroeléctrica basada en Hf 0.5 Zr 0.5 O 2. Se demuestra la influencia de la impresión en la retención y la resistencia. Además, se propone una solución en circuitos para resolver de manera efectiva el problema de lectura errónea causado por la impresión.
Yuan et al. (Mon,) estudiaron esta cuestión.
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